DEI分立于數(shù)字接口IC
發(fā)布時(shí)間:2021-05-19 17:03:17 瀏覽:1075
DEI為航空電子設(shè)備和工業(yè)生產(chǎn)市場提供30多個(gè)離散數(shù)字接口集成電路。這些機(jī)械設(shè)備接受6或8個(gè)并行執(zhí)行輸入。一些模型規(guī)范將并行執(zhí)行輸入轉(zhuǎn)換為SPI串行數(shù)據(jù)通道,并滿足ABD0100H(空客指令)。各種離散到數(shù)字產(chǎn)品包括do-160 D防雷保護(hù),以確保系統(tǒng)的使用壽命。
傳感應(yīng)用包括門和滑動位置、迎角、方向、空間速度、高度、壓力、冰、重量、溫度、流量、速度、粒子檢測、電壓、電流、火焰、二氧化碳。
軍用飛機(jī):
垂直狀態(tài)顯示單元(VSDU);
全集成數(shù)據(jù)鏈路系統(tǒng)(FIDL);
中央綜合測試系統(tǒng)(CITS);
綜合視覺航空電子主干網(wǎng)(SVAB);
衰退環(huán)境引航系統(tǒng)(DVEPS) ;
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢提供DEI高端芯片訂購渠道,部分準(zhǔn)備有現(xiàn)貨庫存。
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部分 # | 溫度范圍 | 產(chǎn)品包裝類型 |
DEI1026A-SES-G | 16 SOIC NB G | -55至85 |
DEI1026A-SMS-G | 16 SOIC NB G | -55至125 |
DEI1026A-WMB | 16 CSOP E | -55至125 |
DEI1026A-WMS | 16 CSOP E | -55至125 |
DEI1026-G | 16 SOIC NB G | -55至85 |
DEI1026-WMB | 16 CSOP E | -55至85 |
DEI1026-WMS | 16 CSOP E | -55至85 |
DEI1054-G | 16 SOIC NB G | -55至85 |
DEI1054-SMS-G | 16 SOIC NB G | -55至125 |
DEI1054-WMB | 16 CSOP E | -55至125 |
DEI1054-WMS | 16 CSOP E | -55至125 |
DEI1066-SES-G | 16 SOIC NB G | -55至85 |
DEI1066-SMB-G | 16 SOIC NB G | -55至125 |
DEI1066-SMS-G | 16 SOIC NB G | -55至125 |
DEI1067-SES-G | 16 SOIC NB G | -55至85 |
DEI1160A-SMS | 16 SOIC EP NB | -55至125 |
DEI1166-TES-G | 24 TSSOP G | -55至85 |
DEI1166-TMS-G | 24 TSSOP G | -55至125 |
DEI1167-TES-G | 24 TSSOP G | -55至85 |
DEI1167-TMS-G | 24 TSSOP G | -55至125 |
DEI1184-SES | 16 SOIC EP NB | -55至85 |
DEI1184-SMS | 16 SOIC EP NB | -55至125 |
DEI1188-SES | 16 SOIC EP NB | -55至85 |
DEI1188-SMS | 16 SOIC EP NB | -55至125 |
DEI1198-TES-G | 24 TSSOP G | -55至85 |
DEI1198-TMS-G | 24 TSSOP EP G | -55至125 |
DEI1282-SES | 16 SOIC EP NB | -55至85 |
DEI1282-SES-G | 16 SOIC EP NB G | -55至85 |
DEI1282-SMS | 16 SOIC EP NB | -55至125 |
DEI1282-SMS-G | 16 SOIC EP NB G | -55至125 |
DEI1284-SES-G | 16 SOIC EP NB G | -55至85 |
DEI1284-SMS-G | 16 SOIC EP NB G | -55至125 |
推薦資訊
DEI? DEI1116/DEI1117提供標(biāo)準(zhǔn)化航空電子系統(tǒng)類型串行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線和16位寬數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線之間的接口。通信接口由一個(gè)帶8X32位緩沖器的單通道收發(fā)器、兩個(gè)單獨(dú)的接收通道和一個(gè)用作篩選操控選項(xiàng)的服務(wù)器可編程控制器存儲器組成。
該SD11702提供 58A 的連續(xù)漏極電流和低 RDS(開)50mΩ。該SD11720設(shè)計(jì)用作功率半導(dǎo)體開關(guān),其阻斷電壓、導(dǎo)通電阻和結(jié)電容的性能優(yōu)于硅 MOSFET。
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