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　　CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生產的一款高性能 CMOS 靜態隨機存取存儲器(SRAM)芯片。以下是該芯片的詳細介紹：

　　主要特點

　　1. 訪問速度：45 ns，這意味著從發出讀取命令到數據可用之間的時間為45納秒。

　　2. 工作溫度范圍：

　　- 工業級：-40 °C 至 +85 °C

　　- 汽車級A：-40 °C 至 +85 °C

　　- 汽車級E：-40 °C 至 +125 °C

　　3. 電壓供應：4.5 V 至 5.5 V，適用于5V系統。

　　4. 引腳兼容性：與 CY62128B 系列芯片引腳兼容，便于升級和替換。

　　5. 低功耗：

　　- 待機電流：典型值為1 μA，最大值為4 μA(工業級)

　　- 工作電流：典型值為1.3 mA(在1 MHz頻率下)

　　6. 存儲擴展：通過 CE$ _1 $、CE$ _2 $ 和 OE 引腳支持存儲擴展。

　　7. 自動斷電：當設備未被選中或地址不變時，自動進入低功耗模式。

　　8. CMOS工藝：采用互補金屬氧化物半導體工藝，優化了速度和功耗。

　　9. 環保封裝：提供無鉛和無鹵素的封裝選項，包括32引腳的STSOP、SOIC和TSOP封裝。

　　功能描述

　　CY62128E 是一款組織為 128K 字 × 8 位的靜態 RAM 芯片。它采用先進的電路設計，旨在提供極低的功耗，非常適合需要長時間電池壽命的便攜式應用。

　　- 待機模式：當設備未被選中(CE$ _1 $ 高或 CE$ _2 $ 低)時，功耗減少超過99%。此時，八個 I/O 引腳(I/O$ _0 $ 至 I/O$ _7 $)處于高阻態，輸出被禁用(OE 高)，或者寫操作正在進行(CE$ _1 $ 低且 CE$ _2 $ 低且 WE 低)。

　　- 寫操作：當 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高，并且 WE 低時，數據通過 I/O 引腳寫入指定的內存位置。

　　- 讀操作：當 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高，并且 OE 低同時 WE 高時，內存位置的數據通過 I/O 引腳讀取。

　　CY62128E適合與具有 TTL 輸入電平的處理器接口，但不適合需要 3V 輸入電平的處理器。

　　應用

　　- 便攜式設備

　　- 工業控制系統

　　- 汽車電子

　　- 通信設備