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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動器應(yīng)用。它們具有高開關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負(fù)載切換和模擬信號放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時產(chǎn)生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場合，并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。

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  RT/duroid? 5880層壓板Rogers 2023-05-18 16:46:11

  Rogers? RT/duroid?5880高頻層壓板是微纖維增強(qiáng)的PTFE復(fù)合板材。RT/duroid?5880層壓板具備低介電常數(shù)(Dk)和低損耗的特性，特別適合高頻率/寬帶網(wǎng)絡(luò)技術(shù)應(yīng)用。