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Linear Systems LS840,LS841,LS842 JFET放大器

2025-01-17 08:50:11

Linear Integrated Systems（LIS）推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專為高性能模擬信號處理設計。其關鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性；電氣性能方面，有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗，具備高跨導、高共模抑制比、低噪聲系數；提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項；適用于音頻放大、精密測量設備、傳感器信號調理等高精度高可靠性應用。

Vishay 109D系列濕式鉭電容器

2025-01-16 08:48:27

Vishay 109D系列濕式鉭電容器是面向工業、汽車和電信應用設計的高性能電容器，采用燒結陽極TANTALEX?技術，有軸向通孔引腳，提供標準錫/鉛（SnPb）和100%錫（符合RoHS標準）兩種端子選項，能在 -55°C至 +125°C寬溫度范圍穩定工作，還給出了應用領域及訂購指南 。

JANTX1N5552軍級標準恢復整流二極管Microsemi 現貨供應

2025-01-13 08:58:58

Microsemi公司生產的軍用級別標準恢復整流二極管JANTX1N5552，屬JEDEC注冊的1N5550至1N5554系列，適用于高可靠性應用場合。其性能參數涵蓋結點和存儲溫度、熱阻等多項指標。主要特點有密封玻璃封裝、四層鈍化技術、內部冶金鍵合，符合軍用標準且有RoHS合規商業級版本，是標準恢復5A整流器，具備高前向浪涌電流能力等多種優勢。應用領域廣泛，包括軍事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器應用場景。封裝類型有通孔封裝和表面貼裝封裝 。

L1807：Focus Microwaves高性能0.7-18GHz諧波調諧器

2025-01-10 08:34:30

L1807調諧器采用Focus Microwaves專利技術M（Multi-purpose tuners），用兩個寬頻帶探頭可同時獨立控制兩個諧波頻率反射系數的幅度和相位，廣泛應用于高功率/效率射頻放大器設計等高級應用，能控制諧波阻抗生成穩健晶體管行為模型、幫助了解設備表現，還可預匹配阻抗、降低驅動負載功率；其頻率范圍0.7 - 18GHz，連接器為N型、APC-7，有相應高電壓駐波比、諧波調優駐波比等參數，最大功率427W，重復性最小-40dB/典型-50dB，重57lbs，尺寸29.081*27.400，另有性能圖表。

QTCV576LDK2-50.000MHz低輪廓5x7mm微型SMD電壓控制晶振

2025-01-09 09:04:14

Q-TECH生產的QTCV576系列是低輪廓的5 x 7mm微型SMD VCXOs，頻率范圍1.000MHz - 156.250MHz，采用陶瓷封裝、鍍金接觸墊，支持多種邏輯類型，供電電壓有3.3Vdc和5.0Vdc，工作溫度-40oC至+85oC，有三態輸出，提供基本模式和第三泛音設計，可進行軍事篩選測試且環保合規；應用于低電壓設備、軍用彈藥系統、儀器設備、網絡同步及微處理器時鐘等領域，還有訂購信息。

DELTA HCME1211F電感器

2025-01-09 08:58:16

DELTA HCME1211F電感器

Microsemi 1N4148UBD軍用級開關信號二極管

2025-01-08 08:48:11

Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116標準的軍用級開關/信號二極管，采用陶瓷體結構、表面貼裝UB封裝，具有低電容、開關速度快等特性，提供多種極性且有JAN、JANTX和JANTXV級別認證并符合RoHS標準；適用于高頻數據線、RS-232和RS-422接口網絡等多種應用；有明確的最大額定值（如結點和存儲溫度-65至+200°C等）和電氣特性（如正向電壓、反向恢復時間等）；機械方面外殼為陶瓷，端子為鎳底層上的金鍍層，重量小于0.04克。

Connor-Winfield PB223低抖動LVPECL時鐘振蕩器

2025-01-08 08:42:17

Connor-Winfield PBxxx系列是5.0x7.0mm表面貼裝、LVPECL輸出邏輯、固定頻率晶體控制振蕩器(XO)，3.3V供電，有使能/禁用功能，適用于需緊密頻率穩定性、寬溫范圍和低抖動應用；輸出頻率122.88 - 170 MHz，不同型號總頻率容差、操作溫度范圍有別，頻率與供電電壓關系為±0.5 ppm，供電電流40 - 50 mA，抖動、啟動時間有具體指標，絕對最大額定值涉及存儲溫度等；具備多種特性，如3.3Vdc操作、低抖動等，且符合RoHS合規/無鉛，可用于以太網參考時鐘、高速數據轉換等，還有訂購指南。

Renesas R7FS7G27H2A01CBD微控制器: 240MHz Arm Cortex-M4處理器

2025-01-07 09:51:30

Renesas S7G2微控制器組是高性能微控制器，核心性能強，搭載240 MHz的Arm Cortex-M4核心等；內存豐富，有多種類型及相關功能；連接性佳，配備多種接口；模擬功能、定時器多樣；支持多種加密算法保障安全；具備系統和電源管理功能；有人機界面相關功能；多時鐘源；通用I/O端口多達172個；工作電壓2.7至3.6 V，工作溫度范圍為 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C，有多種封裝選項，適用于高性能、計算密集型、網絡控制等多種應用 。

ARIZONA Capacitors W90系列高壓電容器3000V-150000kV

2025-01-07 08:51:33

ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC，電容值最高可達2.000 μF，標準容差±10%；工作溫度范圍（G10外殼材料）按不同降額情況有所不同，全額定溫度時為 -55°C至60°C，30%降額時為 -55°C至85°C，50%降額時為 -55°C至105°C，75%降額時為 -55°C至125°C；絕緣電阻在25 - 50kΩ，1,000Hz下損耗因子小于0.6%，經過130%額定電壓1分鐘測試，生產流程符合ISO 9001:2015認證，符合MIL-STD-202測試標準，可按需符合ROHS標準。

PESD24VL2BT低電容雙向雙ESD保護二極管NXP現貨

2025-01-07 08:44:03

PESD24VL2BT是NXP公司的低電容ESD保護設備產品，采用SOT23封裝，是低電容雙向雙ESD保護二極管，用于保護兩條信號線免受ESD或瞬態電壓損壞。其特性包括兩條線路ESD保護、超低漏電流、350W最大峰值脈沖功率、高達23kV的ESD保護、低鉗位電壓等，符合相關標準；應用領域涉及計算機和外設、通信系統、音頻視頻設備、便攜式電子設備、手機及附件、SIM卡保護等。

PDI VN04系列恒溫晶體振蕩器(OCXO)

2025-01-06 09:11:27

PDI VN04系列是烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)，能在苛刻環境下確保精確頻率，具有超低相位噪聲、高振動環境表現出色及采用雙重密封石英晶體等特點，可提供定制頻率，且公司提供快速樣品服務、大規模生產能力和有競爭力的定價；產品主要規格包括尺寸、頻率范圍、輸出類型等多方面參數，還給出了頻率穩定性、頻率調整、電源功耗、輸出電壓、負載、相位噪聲等具體指標。

ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA現場可編程門陣列Lattice

2025-01-06 09:04:59

iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生產的FPGA和傳感器管理器，專為超低功耗移動應用（如智能手機、平板電腦等）設計，包含與移動傳感器和應用處理器接口的集成塊。其特點包括靈活邏輯架構（有640或1K查找表兩種設備）、超低功耗（40納米低功耗工藝，待機電流35微安）、嵌入式和分布式存儲等；應用領域涉及多傳感器管理、IR遙控等；技術規格方面，不同型號邏輯單元數量不同，均有14個EBR內存塊等，封裝有16球WLCSP和36球ucBGA兩種選項。

FSLD52TE-156.25MHz晶體控制振蕩器Connor-Winfield

2025-01-06 09:00:53

Connor-Winfield FSLD52TE是表面貼裝3.3V固定頻率晶控振蕩器(XO)，有HCMOS三態輸出，專為低抖動和嚴格頻率穩定性應用設計。其特點包括低抖動（<1ps RMS）、三態使能/禁用等；電氣規格涵蓋中心頻率19.44 MHz至167 MHz、總頻率容差±50ppm等；輸入特性有使能和禁用電壓；HCMOS輸出特性涉及負載、高低電平電壓電流等，啟動時間為10ms。

Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶體管

2025-01-03 08:54:49

Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W內部預匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶體管，適用于0.9 GHz至1.4 GHz頻率范圍，具有出色的效率、熱阻和堅固性，適用于航空電子應用；關鍵特性包括不同頻率下的輸出功率、功率增益、漏極效率、輸入回波損耗等參數，還涉及熱阻、漏源電壓等多項指標，儲存溫度為-65℃ ~+150℃，且能承受特定條件下的額定負載功率。

Wi2Wi VNO5系列溫控晶振(OCXO)

2025-01-03 08:50:06

Wi2Wi的VNO5系列是一款溫控晶振（OCXO），能在苛刻條件下確保精確頻率，具有超低相位噪聲、高振動環境表現出色及采用雙重密封石英晶體等特點，可按需定制頻率，提供樣品滿足原型設計需求，具備大規模生產能力和競爭力定價；產品規格涵蓋尺寸、頻率范圍、電源電壓范圍等多項參數，還給出了相位噪聲典型值，最后附有訂購指南。

LS1028A/LS1018A工業與汽車應用處理器NXP

2025-01-02 08:55:01

NXP LS1028A/LS1018A芯片相關介紹，LS1028A有兩個核心，LS1018A為單核，核心為32/64位ARM Cortex-A72，最高1.5GHz，有一定緩存配置；內存控制器支持DDR3L/DDR4 SDRAM且支持ECC；支持多種高速串行接口并提供SerDes通道；內置LCD控制器支持高分辨率顯示，GPU支持多種圖形標準且有特定速率；集成TSN-capable以太網相關組件；有多種外設接口、DMA控制器、中斷控制器與監控單元；采用FC-PBGA封裝；適用于網絡、工業、打印等領域，因能源高效、集成度高和成本效益受青睞。

HFBM075100S高頻巴倫適配器：高速通信與極端環境應用

2024-12-31 08:36:43

HFBM075100S是一款高頻巴倫適配器，用于將100Ω平衡差分信號轉換為75Ω接地不平衡信號，適用于高速數據傳輸及飛行應用。其主要特性包括不平衡阻抗75Ω、平衡阻抗100Ω、最大插入損耗2dB等，支持高達1485Mbps數據速率，工作溫度范圍-55℃至+125℃，環境適應性強，包裝為散裝，連接器類型為BNC，應用于無線通信、廣播等需信號轉換的場合。

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

2024-12-30 08:51:50

Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應用（如電源轉換器、電機驅動器和高功率開關電路），關鍵特性包括連續漏極電流10A、導通電阻300mΩ、內置快速恢復二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為TO-254密封封裝，有背面隔離，可進行JANTX、JANTXV篩選；絕對最大額定值、電氣規格和熱阻等方面有一系列具體參數，如漏源電壓650V、結溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。

LC4128V-75TN100C CPLD復雜可編程邏輯器件Lattice

2024-12-27 09:16:44

Lattice的LC4128V-75TN100C是ispMACH? 4000V家族的高性能復雜可編程邏輯器件(CPLD)，適用于多種高速和復雜邏輯應用場景；技術規格包括邏輯塊、全局時鐘等多項參數，編程存儲方面采用EEPROM，具備系統內可編程及可重編程支持；電源和環境方面有明確的電壓、溫度等要求，為商業級；采用100引腳TQFP封裝，適用于表面貼裝，尺寸為14mm*14mm*1.4mm；可應用于通信設備、工業控制系統、消費電子產品等需要高速邏輯處理和靈活設計的領域。